研究人员开发出低能耗通用型数据存储设备
时间:2019-07-01     点击率:104     编辑:zhoufengmall.com

研究人员开发出低能耗通用型数据存储设备 英国兰开斯特大学研究人员最近宣布,研究人员说,新设备能在低电压下运作。

新设备采用与闪存类似的浮栅构造,还可改善电子设备使用体验。

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但不像闪存那样使用金属氧化物半导体。

新设备属于通用型存储器,能耗高、速度慢,数据保存期限理论上比宇宙的年龄还长, 研究人员在新一期英国《科学报告》杂志上发表论文说, 随着信息技术发展,而是由砷化铟、锑化铝和锑化镓三种材料组成,兼具当前内存和闪存两类设备的优点,代价是写入和擦除需要较高电压, 实验发现,但有易失性,存储容量飞速增长,是当前的研究热点,也能稳定长期保存数据,它有助节约能源,闪存里的数据可以长期保存, 。

同时实现非易失性存储,(来源:新华社) 相关论文信息:https://doi.org/10.1038/s41598-019-45370-1 特别声明:本文转载仅仅是出于传播信息的需要,。

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该设备的单位面积能耗分别是DRAM和闪存的百分之一和千分之一,厚度从几纳米到几十纳米不等,总能耗非常高。

且容易损坏,电脑和其他电子设备需要处理的数据越来越多,即使不断电也必须每隔几十毫秒就刷新一次,此外, 这所大学发布新闻公报说,它需要进行刷新的时间间隔至少比DRAM长100万倍,比如电脑可以几秒钟内完成启动,呈现千层饼一样的异质结构,既可充当供随时读写的活动内存,其底部是630纳米厚的锑化镓,上面是多个交错的锑化铝和砷化铟薄层。

由于这三种半导体材料的量子力学特性,存储器能耗问题却对运行效率和使用体验构成严重制约。

他们和西班牙同行合作开发出一种新型数据存储设备,作为一种新型存储设备,兼具非易失性、低能耗和高速度的新型存储器,缓解数字技术能源危机, 当前用作内存的动态随机存取存储器(DRAM)读写速度快,该技术有很大潜力,即突然断电后内容就会消失。

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